bulk lifetime of minority carriers

bulk lifetime of minority carriers
tūrinė šalutinių krūvininkų gyvavimo trukmė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk lifetime of minority carriers vok. Volumenlebensdauer von Minoritätsträgern, f rus. объёмное время жизни неосновных носителей, n pranc. durée de vie dans le matériau des porteurs minoritaires, f

Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. . 2000.

Игры ⚽ Нужна курсовая?

Look at other dictionaries:

  • Volumenlebensdauer von Minoritätsträgern — tūrinė šalutinių krūvininkų gyvavimo trukmė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk lifetime of minority carriers vok. Volumenlebensdauer von Minoritätsträgern, f rus. объёмное время жизни неосновных носителей, n pranc. durée… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • durée de vie dans le matériau des porteurs minoritaires — tūrinė šalutinių krūvininkų gyvavimo trukmė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk lifetime of minority carriers vok. Volumenlebensdauer von Minoritätsträgern, f rus. объёмное время жизни неосновных носителей, n pranc. durée… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • tūrinė šalutinių krūvininkų gyvavimo trukmė — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk lifetime of minority carriers vok. Volumenlebensdauer von Minoritätsträgern, f rus. объёмное время жизни неосновных носителей, n pranc. durée de vie dans le matériau des porteurs… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • объёмное время жизни неосновных носителей — tūrinė šalutinių krūvininkų gyvavimo trukmė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. bulk lifetime of minority carriers vok. Volumenlebensdauer von Minoritätsträgern, f rus. объёмное время жизни неосновных носителей, n pranc. durée… …   Radioelektronikos terminų žodynas

  • Radiation hardening — is a method of designing and testing electronic components and systems to make them resistant to damage or malfunctions caused by ionizing radiation (particle radiation and high energy electromagnetic radiation),[1] such as would be encountered… …   Wikipedia

  • Surface photovoltage — (SPV) measurements are a widely used method to determine the minority carrier diffusion length of semiconductors. Since the transport of minority carriers determines the behavior of the p n junctions that are ubiquitous in semiconductor devices,… …   Wikipedia

  • Electron mobility — This article is about the mobility for electrons and holes in metals and semiconductors. For the general concept, see Electrical mobility. In solid state physics, the electron mobility characterizes how quickly an electron can move through a… …   Wikipedia

  • Deep-level transient spectroscopy — (DLTS) is an experimental tool for studying electrically active defects (known as charge carrier traps) in semiconductors. DLTS establishes fundamental defect parameters and measures their concentration in the material. Some of the parameters are …   Wikipedia

  • Nanofluidic circuitry — is a nanotechnology aiming for control of fluids in nanometer scale. Due to the effect of an electrical double layer within the fluid channel, the behavior of nanofluid is observed to be significantly different compared with its microfluidic… …   Wikipedia

  • Business and Industry Review — ▪ 1999 Introduction Overview        Annual Average Rates of Growth of Manufacturing Output, 1980 97, Table Pattern of Output, 1994 97, Table Index Numbers of Production, Employment, and Productivity in Manufacturing Industries, Table (For Annual… …   Universalium

Share the article and excerpts

Direct link
Do a right-click on the link above
and select “Copy Link”